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    所述**发光二极管在基板上或在基板上方并且包括电极、面向电极的*二电极、以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在电极与*二电极之间的发光材料层；以及布置在基板与**发光二极管之间并与**发光二极管连接的薄膜晶体管，其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。在另一方面，照明装置包括：基板；和**发光二极管，所述**发光二极管在基板上或在基板上方并且包括电极、面向电极的*二电极、以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置电极与*二电极之间的发光材料层，其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。根据本发明的一方面，磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于约％、或者等于或小于约％。根据本发明的一个方面，磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或大于约％、或者等于或大于约％。根据本发明的一方面，**发光二极管、**发光显示装置或照明装置的fwhm在可见光范围内或在450nm至750nm、或500nm至700nm、或500nm至650nm的范围内等于或大于约55nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm，深圳稳压二极管企业、110nm、120nm，深圳稳压二极管企业，深圳稳压二极管企业、130nm、140nm或甚至150nm。根据本发明的一方面。深圳乐山二极管代理商公司。深圳稳压二极管企业

    依据温度阻值曲线图获取所述热敏电阻ntc的*二温度值，依据所述热敏电阻ntc的*二温度值确定所述发光二极管的所述良好温度值。根据本发明的一个方面，还提供了一种医疗设备，包括存储器、处理器和发光二极管，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述发光二极管的控制方法的步骤。根据本发明的一个方面，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述发光二极管的控制方法的步骤。通过本发明，获取发光二极管良好温度值和良好压差值，依据该良好温度值和该良好压差值，调用预存储的良好校准数据表进行良好对比，依据该良好对比的结果对该良好压差值进行校准后，获取*二压差值，良好校准数据表为该发光二极管的初始温度值和该初始电压值统计表；获取发光二极管的电流值，依据该*二压差值和该电流值，调用预存储的*二校准数据表进行*二对比，*二校准数据表为该发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表，在该*二对比的结果不符合预设阈值的情况下，发送报警信息，解决了单个led灯的使用寿命无法准确预测的问题，实现了单个led灯的使用寿命的准确预测和报警。惠州开关二极管企业华强北捷捷微正规代理商。

    r2＝r4，输出的电压vout如公式2所示：vout接入到微控制器15的模数转换的ad采样口，该微控制器15完成对该发光二极管11压差值的采样。在一个实施例中，该温度采集电路14获取发光二极管11的温度可以有多种方式，其中，在该温度采集电路14采用热敏电阻(negativetemperaturecoefficient，简称为ntc)电路的情况下，温度采集电路14使用ntc方案，ntc体积小，可以离该发光二极管11非常近，同时精度高，灵敏度高，费用低，非常合适用来测量该发光二极管11的工作温度。ntc的阻值随着温度的升高而降低，图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图，如图6所示，将ntc与一个高精度电阻r1串联，当ntc阻值变化时，ntc上分到的电压也随之改变。后面的运放构成一个电压跟随器，提高输出信号的驱动能力，减少受到干扰的可能。电路输出电平值vout如公式3所示：vout接到微控制器15的模数转换的ad采样口，完成该输出电平值的采集。微控制器15根据如下的公式4将vout转化为ntc当前温度的阻值，再与该ntc厂家提供的温度-阻值曲线图对比，得出当前ntc的温度，也就是该发光二极管11当前的工作温度。上述温度采集电路14。

    由*二发光部分450提供红色波长范围的光和绿色波长范围的光。因此，包括*二发光部分450、包含蓝色掺杂剂422的发光部分430和包含*二蓝色掺杂剂462的*三发光部分470的oledd3发射白色光。此外，由于发光部分430和*三发光部分470分别包括分别包含蓝色掺杂剂422和*二蓝色掺杂剂462的eml420和*三eml460，因此oledd3的色温得到改善。图8是根据本公开内容的*四实施方案的oled的示意性截面图。如图8所示，oledd4包括电极510、*二电极512、在电极510与*二电极512之间的**发光层514。**发光层514包括：发光部分530，发光部分530包括eml520；*二发光部分550，*二发光部分550包括*二eml540；和*三发光部分570，*三发光部分570包括*三eml560；在发光部分530与*二发光部分550之间的cgl580；以及在*二发光部分550与*三发光部分570之间的*二cgl590。电极510为用于注入空穴的阳极并且包含高的功函数的导电材料例如ito或izo。*二电极512为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl580和*二cgl590分别被定位在发光部分530与*二发光部分550之间和*二发光部分550与*三发光部分570之间。即。乐山大功率二极管原装现货。

    在照明装置中，需要具有宽的半高全宽(fwhm)以提供高的色彩连续性的发光。为了提供w-oled，需要红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料。然而，未开发出具有宽的fwhm的红色延迟荧光材料。因此，需要开发具有高的色彩连续性和高的发光效率的发光材料层。技术实现要素：因此，本公开内容涉及**发光二极管(oled)和包括其的**发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。本发明的另外的特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述而显而易见，或者可以通过本发明的实践而获知。本发明的目的和其他优点将通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。为了实现这些和其他优点并且根据本公开内容的目的，如本文所体现和广描述的，**发光二极管包括：电极；面向电极的*二电极；以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在电极与*二电极之间的发光材料层，其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。在另一方面，**发光显示装置包括：基板；**发光二极管。华南强茂二极管代理商公司。上海发光二极管哪家公司好

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    阵列探测器的性能受到严重影响，制约其阵列规模。目前，可通过调节apd偏置电压的方法来提高阵列探测器性能的均匀性。传统方案采用dac(digitaltoanalogconverter,数模转换器)和ldo(lowdropoutregulator,低压差线性稳压器)结构相结合的调节方式来调节apd的偏置电压，即dac产生同时调节数个像素的基准电压作为ldo中误差放大器的输入，随后ldo结构根据dac提供的基准电压来实现apd偏置电压的调节。但是这种调节方式中ldo面积大且不能实现单个像素的调节，此外ldo有限的带宽较难实现apd快速充放电过程中的电压稳定性。技术实现要素：针对传统apd偏置电压调节方式中存在的面积大、不能实现单个像素的调节、电压稳定性不高等不足之处，本发明提出一种调节雪崩光电二极管apd偏置电压的方法，基于负压进行调节，扩大了apd偏置电压的调节范围，且能够实现逐像素可调的apd充电置位电压，有利于提升apd阵列的探测灵敏度，且具有面积小、响应速度快、电压准确度高等优点。本发明的技术方案为：基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路，包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块。深圳稳压二极管企业

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