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    本发明属于集成电路领域与光电领域，涉及一种基于负电源电压对雪崩光电二极管的偏置电压进行调节的电路。背景技术：单光子探测技术是近年来刚刚发展起来的一种基于单光子的新式探测技术，它可以实现对较微弱光信号的检测。在目前所用的光电探测器中，具有单光子探测能力的探测器主要有两种，即光电倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光电二极管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光电二极管apd(以下简称apd)在红外波段具有功耗低、体积小、工作频谱范围大、工作电压低等优点，因此被广泛应用，深圳发光二极管哪家公司好，深圳发光二极管哪家公司好。雪崩光电二极管apd探测器根据其偏置电压的不同，可分为线性和盖革两种工作模式。工作在盖革模式下的雪崩光电二极管apd被称为单光子雪崩二极管，具有单光子探测能力，被广泛应用于单光子探测技术。单光子探测技术可被用于光子测距、*、荧光寿命测量等各方面。随着对探测器分辨率要求的提高，单光子探测技术正在向集成大阵列方向发展，阵列探测的一致性成为重要指标。apd阵列的灵敏度与偏压相关，但是由于apd阵列存在雪崩击穿电压不均匀分布的问题，因此比较高偏压被阵列中比较低击穿电压的像素所限制，深圳发光二极管哪家公司好，apd阵列中将有大量像素处在偏压不足的状态。乐山整流二极管原装现货。深圳发光二极管哪家公司好

    PANJIT)半导体；友顺科技（UTC）IC及MOS管；泰晶（TKD)晶振；捷捷微（JJW)半导体；新洁能（NCE)半导体；风华（FENGHUA）电阻、电容。半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[]二极管击穿特性外加反向电压**过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加。广州品牌二极管代理商华南捷捷微二极管代理商公司。

    可以将流过一pmos管mp1的电流按1-7倍的比例进行复制，如当只有一开关s1闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:1的比例进行复制，当一开关s1和二开关s2同时闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:3的比例进行复制，当一开关s1、二开关s2和三开关s3都闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:7的比例进行复制。按照相同的原理可以设置多种开关组合实现想要的比例。二电流镜单元用于镜像流过三pmos管mp3的电流，如图1所示给出二电流镜单元的一种实现形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的栅较连接三pmos管mp3的栅较，其源较连接电源电压，其漏较连接二电流镜单元的输出端。像素内偏压调节模块中三电阻r3和五pmos管mp5分别与像素外偏置电压产生模块中的一电阻r1和二pmos管mp2、二电阻r2和四pmos管mp4钳位对称，再利用一电流镜单元和二电流镜单元镜像的电流，可以控制五pmos管mp5的源较处产生的浮动地电压大小。本实施例中一pmos管mp1栅较引出一电流镜单元偏置电压为一电流镜单元的六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8供电，比例电流镜结构按不同比例镜像一pmos管mp1的电流使得像素内的五pmos管mp5的源较电压达到步进电压的整数倍大小。

    由*二发光部分450提供红色波长范围的光和绿色波长范围的光。因此，包括*二发光部分450、包含蓝色掺杂剂422的发光部分430和包含*二蓝色掺杂剂462的*三发光部分470的oledd3发射白色光。此外，由于发光部分430和*三发光部分470分别包括分别包含蓝色掺杂剂422和*二蓝色掺杂剂462的eml420和*三eml460，因此oledd3的色温得到改善。图8是根据本公开内容的*四实施方案的oled的示意性截面图。如图8所示，oledd4包括电极510、*二电极512、在电极510与*二电极512之间的**发光层514。**发光层514包括：发光部分530，发光部分530包括eml520；*二发光部分550，*二发光部分550包括*二eml540；和*三发光部分570，*三发光部分570包括*三eml560；在发光部分530与*二发光部分550之间的cgl580；以及在*二发光部分550与*三发光部分570之间的*二cgl590。电极510为用于注入空穴的阳极并且包含高的功函数的导电材料例如ito或izo。*二电极512为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl580和*二cgl590分别被定位在发光部分530与*二发光部分550之间和*二发光部分550与*三发光部分570之间。即。广东强茂二极管代理商公司巨新科。

    20.根据实施方案19所述的**发光二极管，其中所述*二磷光掺杂剂相对于所述*二延迟荧光掺杂剂的重量百分比在％至％的范围内。21.一种**发光显示装置，包括：基板；**发光二极管，所述**发光二极管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：电极；面向所述电极的*二电极；以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在所述电极与所述*二电极之间的发光材料层；以及布置在所述基板与所述**发光二极管之间并与所述**发光二极管连接的薄膜晶体管，其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。22.根据实施方案20所述的**发光显示装置，还包括：布置在所述基板与所述**发光二极管之间或在所述**发光二极管上方的滤色器层。23.一种照明装置，包括：基板；以及**发光二极管，所述**发光二极管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：电极；面向所述电极的*二电极；以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在所述电极与所述*二电极之间的发光材料层，其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。强茂大功率二极管原装现货。武汉强茂二极管厂家

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    cgl280被定位在发光部分250与*二发光部分270之间。即，发光部分250和*二发光部分270通过cgl280连接。cgl280可以为包括n型cgl282和p型cgl284的p-n结型cgl。n型cgl282被定位在etl256与*二htl272之间，p型cgl284被定位在n型cgl282与*二htl272之间。在图5中，与作为阳极的电极220相邻的eml240包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂242和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂244，与作为阴极的*二电极230相邻的*二eml260包含蓝色掺杂剂262。或者，与作为阳极的电极220相邻的eml240可以包含蓝色掺杂剂，与作为阴极的*二电极230相邻的*二eml260可以包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂。在oledd2中，发光部分250中的eml240包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂242和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂244，并且磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比等于或小于约5％，推荐等于或小于约％。因此，由发光部分250提供红色波长范围的光和绿色波长范围的光。因此，包括发光部分250和包含蓝色掺杂剂262的*二发光部分270的oledd2发射白光。图6是根据本公开内容的显示装置的示意性截面图。图6的显示装置包括图5的根据*二实施方案的oled。如图6所示。深圳发光二极管哪家公司好

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