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20.根据实施方案19所述的**发光二极管,其中所述*二磷光掺杂剂相对于所述*二延迟荧光掺杂剂的重量百分比在%至%的范围内。21.一种**发光显示装置,包括:基板;**发光二极管,所述**发光二极管在所述基板上或在所述基板上方并且包括:电极;面向所述电极的*二电极;以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在所述电极与所述*二电极之间的发光材料层;以及布置在所述基板与所述**发光二极管之间并与所述**发光二极管连接的薄膜晶体管,其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5%。22.根据实施方案20所述的**发光显示装置,还包括:布置在所述基板与所述**发光二极管之间或在所述**发光二极管上方的滤色器层,东莞快恢复二极管销售。23.一种照明装置,东莞快恢复二极管销售,包括:基板;以及**发光二极管,所述**发光二极管在所述基板上或在所述基板上方并且包括:电极;面向所述电极的*二电极;以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在所述电极与所述*二电极之间的发光材料层,东莞快恢复二极管销售,其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5%。广东强茂二极管代理商公司巨新科。东莞快恢复二极管销售
r2=r4,输出的电压vout如公式2所示:vout接入到微控制器15的模数转换的ad采样口,该微控制器15完成对该发光二极管11压差值的采样。在一个实施例中,该温度采集电路14获取发光二极管11的温度可以有多种方式,其中,在该温度采集电路14采用热敏电阻(negativetemperaturecoefficient,简称为ntc)电路的情况下,温度采集电路14使用ntc方案,ntc体积小,可以离该发光二极管11非常近,同时精度高,灵敏度高,费用低,非常合适用来测量该发光二极管11的工作温度。ntc的阻值随着温度的升高而降低,图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图,如图6所示,将ntc与一个高精度电阻r1串联,当ntc阻值变化时,ntc上分到的电压也随之改变。后面的运放构成一个电压跟随器,提高输出信号的驱动能力,减少受到干扰的可能。电路输出电平值vout如公式3所示:vout接到微控制器15的模数转换的ad采样口,完成该输出电平值的采集。微控制器15根据如下的公式4将vout转化为ntc当前温度的阻值,再与该ntc厂家提供的温度-阻值曲线图对比,得出当前ntc的温度,也就是该发光二极管11当前的工作温度。上述温度采集电路14。武汉强茂二极管厂家东莞整流二极管只招巨新科。
发送报警信息。图3是根据发明实施例的压降和电流的初始工作统计示意图,如图3所示,该发光二极管的正向压降为随电流变化而变化的曲线,是正向压降本身的曲线,该发光二极管11的正向压降的偏移量与工作电流呈正相关,例如,在依据该*二压差值和电流值与该曲线进行对比的情况下,对比的结果**过预设的阈值,该微控制器15生成报警信息,该发光二极管11出厂前,对可以进行长时间的工作测试,例如,进行500小时的工作测试,该微控制器15记录发光二极管11正常工作在不同电流下的正向压降,依据该正向压降的偏移量生成该*二校准数据表,该*二校准数据表用于对该*二压差值进行对比判断,判断该发光二极管11的压差值是否在允许的范围以内,**过该允许的范围,说明该发光二极管11已不能正常工作,进行报警提醒使用者进行更换。通过上述系统,发光二极管11出厂工作后,微控制器15自主控制该发光二极管11的电流,实时监控发光二极管的工作温度、正向压降值和电流值,并依据良好校准数据表对压差值进行校准,在压差值**出*二校准数据表的合理范围后,进行报警提醒,解决了单个led灯的使用寿命无法准确预测的问题,实现了单个led灯的使用寿命的准确预测和报警。在一个实施例中。
本发明属于集成电路领域与光电领域,涉及一种基于负电源电压对雪崩光电二极管的偏置电压进行调节的电路。背景技术:单光子探测技术是近年来刚刚发展起来的一种基于单光子的新式探测技术,它可以实现对较微弱光信号的检测。在目前所用的光电探测器中,具有单光子探测能力的探测器主要有两种,即光电倍增管(photomultipliertube,pmt)和雪崩光电二极管(avalanchephotodiode,apd)。其中雪崩光电二极管apd(以下简称apd)在红外波段具有功耗低、体积小、工作频谱范围大、工作电压低等优点,因此被广泛应用。雪崩光电二极管apd探测器根据其偏置电压的不同,可分为线性和盖革两种工作模式。工作在盖革模式下的雪崩光电二极管apd被称为单光子雪崩二极管,具有单光子探测能力,被广泛应用于单光子探测技术。单光子探测技术可被用于光子测距、*、荧光寿命测量等各方面。随着对探测器分辨率要求的提高,单光子探测技术正在向集成大阵列方向发展,阵列探测的一致性成为重要指标。apd阵列的灵敏度与偏压相关,但是由于apd阵列存在雪崩击穿电压不均匀分布的问题,因此比较高偏压被阵列中比较低击穿电压的像素所限制,apd阵列中将有大量像素处在偏压不足的状态。巨新科是捷捷微二极管一级代理商,质量有**。
*二电极412为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl480和*二cgl490分别被定位在发光部分430与*二发光部分450之间和*二发光部分450与*三发光部分470之间。即,发光部分430、cgl480、*二发光部分450、*二cgl490和*三发光部分470顺序堆叠在电极410上。换言之,发光部分430被定位在电极410与cgl480之间,*二发光部分450被定位在cgl480与*二cgl490之间。此外,*三发光部分470被定位在*二电极412与*二cgl490之间。发光部分430可以包括顺序堆叠在电极410上的hil432、htl434、eml420和etl436。即,hil432和htl434被定位在电极410与eml420之间,hil432被定位在电极410与htl434之间。此外,etl436被定位在eml420与cgl480之间。eml420包含蓝色掺杂剂422。例如,蓝色掺杂剂422可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出,但是eml420还可以包含基质。相对于基质,蓝色掺杂剂422的重量百分比可以为约1%至40%,推荐为3%至40%。*二发光部分450可以包括*二htl452、*二eml440和*二etl454。*二htl452被定位在cgl480与*二eml440之间,*二etl454被定位在*二eml440与*二cgl490之间。捷捷微开关二极管原装现货。揭阳进口二极管进口
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阵列探测器的性能受到严重影响,制约其阵列规模。目前,可通过调节apd偏置电压的方法来提高阵列探测器性能的均匀性。传统方案采用dac(digitaltoanalogconverter,数模转换器)和ldo(lowdropoutregulator,低压差线性稳压器)结构相结合的调节方式来调节apd的偏置电压,即dac产生同时调节数个像素的基准电压作为ldo中误差放大器的输入,随后ldo结构根据dac提供的基准电压来实现apd偏置电压的调节。但是这种调节方式中ldo面积大且不能实现单个像素的调节,此外ldo有限的带宽较难实现apd快速充放电过程中的电压稳定性。技术实现要素:针对传统apd偏置电压调节方式中存在的面积大、不能实现单个像素的调节、电压稳定性不高等不足之处,本发明提出一种调节雪崩光电二极管apd偏置电压的方法,基于负压进行调节,扩大了apd偏置电压的调节范围,且能够实现逐像素可调的apd充电置位电压,有利于提升apd阵列的探测灵敏度,且具有面积小、响应速度快、电压准确度高等优点。本发明的技术方案为:基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路,包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块。东莞快恢复二极管销售
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