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    *二蓝色掺杂剂462可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。蓝色掺杂剂422和*二蓝色掺杂剂462可以相同或不同。尽管未示出，但是*三eml460还可以包含基质。相对于基质，*二蓝色掺杂剂462的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。cgl480被定位在发光部分430与*二发光部分450之间，*二cgl490被定位在*二发光部分450与*三发光部分470之间。即，发光部分430和*二发光部分450通过cgl480彼此连接，*二发光部分450和*三发光部分470通过*二cgl490彼此连接。cgl480和*二cgl490各自可以为p-n结型cgl。cgl480包括n型cgl482和p型cgl484，*二cgl490包括n型cgl492和p型cgl494，武汉肖特基 二极管质量好的。在cgl480中，n型cgl482被定位在etl436与*二htl452之间，p型cgl484被定位在n型cgl482与*二htl452之间。在*二cgl490中，n型cgl492被定位在*二etl454与*三htl472之间，p型cgl494被定位在n型cgl492与*三htl472之间。在oledd3中，*二发光部分450中的*二eml440包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂442和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂444，并且磷光掺杂剂444相对于延迟荧光掺杂剂442的重量百分比等于或小于约5％，武汉肖特基 二极管质量好的，武汉肖特基 二极管质量好的，推荐等于或小于约％。因此。捷捷微二极管原厂渠道。武汉肖特基 二极管质量好的

    基质的重量百分比为约50％至80％。相对于基质，延迟荧光掺杂剂152的重量百分比可以为约20％至70％，磷光掺杂剂154的重量百分比可以为约％至2％。基质可以由式7-1或式7-2表示。[式7-1][式7-2]在式7-1中，x为o、s或nr，以及r为c6-c30芳基。在式7-1和式7-2中，y为o或s。在式7-1和式7-2中，r1至r15各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。例如，基质可以选自式8。[式8]**发光层140还包括在电极120与eml150之间的空穴传输层(htl)164、在电极120与htl164之间的空穴注入层(hil)162、在eml150与*二电极130之间的电子传输层(etl)174和在etl174与*二电极130之间的电子注入层(eil)176。hil162、htl164、etl174和eil176中的至少一者可以省略。此外，**发光层140还可以包括在htl164与eml150之间的电子阻挡层(ebl)166和在eml150与etl174之间的空穴阻挡层(hbl)172。ebl166和hbl172中的至少一者可以省略。oledd1包含发射绿色光的延迟荧光掺杂剂152和具有比延迟荧光掺杂剂152更小的重量百分比并发射红色光的磷光掺杂剂154，使得发射绿色波长范围的光和红色波长范围的光二者。即，在oledd1中。北京panjit二极管代理商原装捷捷微二极管采购。

    在照明装置中，需要具有宽的半高全宽(fwhm)以提供高的色彩连续性的发光。为了提供w-oled，需要红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料。然而，未开发出具有宽的fwhm的红色延迟荧光材料。因此，需要开发具有高的色彩连续性和高的发光效率的发光材料层。技术实现要素：因此，本公开内容涉及**发光二极管(oled)和包括其的**发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。本发明的另外的特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述而显而易见，或者可以通过本发明的实践而获知。本发明的目的和其他优点将通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。为了实现这些和其他优点并且根据本公开内容的目的，如本文所体现和广描述的，**发光二极管包括：电极；面向电极的*二电极；以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在电极与*二电极之间的发光材料层，其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。在另一方面，**发光显示装置包括：基板；**发光二极管。

    具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细的描述。本发明提出一种基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路，包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块，如图1所示，像素外偏置电压产生模块包括一运算放大器op1、二运算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一电阻r1、二电阻r2、一电流源i1和二电流源i2，一运算放大器op1的正相输入端连接基准电压vref，其反相输入端连接二pmos管mp2的源较和一电流源i1，其输出端连接一pmos管mp1的栅较；一pmos管mp1的源较连接电源电压，其漏较连接二pmos管mp2的栅较并通过一电阻r1后连接负电源电压vne；二运算放大器op2的正相输入端接地，其反相输入端连接四pmos管mp4的源较和二电流源i2，其输出端连接三pmos管mp3的栅较；三pmos管mp3的源较连接电源电压，其漏较连接四pmos管mp4的栅较并通过二电阻r2后连接负电源电压vne；二pmos管mp2和四pmos管mp4的漏较连接负电源电压vne。二pmos管mp2和四pmos管mp4用于产生一运算放大器op1和二运算放大器op2的反相输入端信号，一电流源i1和二电流源i2用于为二pmos管mp2和四pmos管mp4提供偏置电流。华强北强茂正规代理商。

    显示装置300包括：其中限定有红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp的基板310、面向基板310的*二基板370、在基板310与*二基板370之间的oledd2和在oledd2与*二基板370之间的滤色器层380。oledd2向滤色器层380提供白光。基板310和*二基板370各自可以为玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和*二基板370各自可以为聚酰亚胺基板。在基板上形成有缓冲层320，以及在红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp中的每一者的缓冲层320上形成有薄膜晶体管(tft)tr。缓冲层320可以省略。在缓冲层320上形成有半导体层322。半导体层322可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。当半导体层322包含氧化物半导体材料时，可以在半导体层322下方形成光屏蔽图案(未示出)。到半导体层322的光被光屏蔽图案屏蔽或阻挡，使得可以防止半导体层322的热降解。另一方面，当半导体层322包含多晶硅时，可以在半导体层322的两侧中掺杂杂质。在半导体层322上形成有栅较绝缘层324。栅较绝缘层324可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在栅较绝缘层324上形成有由导电材料(例如金属)形成的栅较电极330以与半导体层322的中心相对应。在图6中，栅较绝缘层324形成在基板310的整个表面上。或者。东莞乐山二极管代理商公司。揭阳整流二极管专卖店

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    在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。尽管未示出，但是栅较线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且形成切换tft以与栅较线和数据线连接。切换tft与作为驱动元件的tfttr连接。此外，还可以形成电力线，所述电力线可以形成为与栅较线和数据线中的一者平行并间隔开；和用于在一帧中保持tfttr的栅较电极的电压的存储电容器。形成有钝化层350以覆盖tfttr，钝化层350包括暴露tfttr的漏电极342的漏较接触孔352。在各像素中单独形成有电极220，电极220通过漏较接触孔352与tfttr的漏电极342连接。电极220可以为阳极，并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，电极220可以由透明导电材料例如ito或izo形成。可以在电极220下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(apc)合金形成。在钝化层350上形成有堤层360以覆盖电极220的边缘。即，堤层360被定位在像素的边界并且暴露像素中的电极220的中心。堤层360可以省略。在电极220上形成有**发光层290。参照图5，**发光层290包括发光部分250，发光部分250包括有eml240；和*二发光部分270，*二发光部分270包括有*二eml260。例如。武汉肖特基 二极管质量好的

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