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    利用运放将四pmos管mp4的源较电压和二pmos管mp2的源较电压分别钳位至0v和步进电压，利用一pmos管mp1和三pmos管mp3产生像素内的偏置电流；在像素内利用电流镜单元镜像一pmos管mp1和三pmos管mp3产生的偏置电流，一电流镜单元通过数字开关控制像素内的比例电流镜镜像偏置电流的比例，从而实现雪崩光电二极管apd偏置电压的步进调节；通过引入负电源电压，扩大了apd偏置电压的调节范围，北京稳压二极管厂家，有利于提高apd阵列的均匀性和电压稳定性，提升光子探测的灵敏度；提出以pmos源较，而不是ldo电路中的漏较产生步进电压，具有面积小、响应速度快，电压准确度高等优点；像素外的运放采用折叠式共源共栅运放结构时，选择pmos管作为输入对管用于增大共模输入范围，另外将p输入对管的衬底接到比较高电位，北京稳压二极管厂家，能够使得输入对管的阈值电压因衬底偏置效应而增大。附图说明图1为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路的一种电路实现结构框图。图2为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路中一运算放大器在实施例中采用折叠式共源共栅运放的电路原理图，北京稳压二极管厂家。图3为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路在不同配置的情况下apd接口电压的仿真波形示意图。华南捷捷微二极管代理商公司。北京稳压二极管厂家

    基质的重量百分比为约50％至80％。相对于基质，延迟荧光掺杂剂152的重量百分比可以为约20％至70％，磷光掺杂剂154的重量百分比可以为约％至2％。基质可以由式7-1或式7-2表示。[式7-1][式7-2]在式7-1中，x为o、s或nr，以及r为c6-c30芳基。在式7-1和式7-2中，y为o或s。在式7-1和式7-2中，r1至r15各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。例如，基质可以选自式8。[式8]**发光层140还包括在电极120与eml150之间的空穴传输层(htl)164、在电极120与htl164之间的空穴注入层(hil)162、在eml150与*二电极130之间的电子传输层(etl)174和在etl174与*二电极130之间的电子注入层(eil)176。hil162、htl164、etl174和eil176中的至少一者可以省略。此外，**发光层140还可以包括在htl164与eml150之间的电子阻挡层(ebl)166和在eml150与etl174之间的空穴阻挡层(hbl)172。ebl166和hbl172中的至少一者可以省略。oledd1包含发射绿色光的延迟荧光掺杂剂152和具有比延迟荧光掺杂剂152更小的重量百分比并发射红色光的磷光掺杂剂154，使得发射绿色波长范围的光和红色波长范围的光二者。即，在oledd1中。北京panjit二极管代理商华强北乐山正规代理商。

    以及磷光掺杂剂244具有与发射波长范围不同的*二发射波长范围。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，以及*二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂242可以由式1或式3表示，磷光掺杂剂244可以由式5表示。磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比等于或小于约5％。例如，磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比可以在约％至％的范围内，推荐约％至％。尽管未示出，但是eml240还可以包含基质。基质可以在eml240中具有约50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。*二发光部分270可以包括*二htl272、*二eml260、*二etl274和eil276。*二htl272被定位在cgl280与*二eml260之间，*二etl274被定位在*二eml260与*二电极230之间。此外，eil276被定位在*二etl274与*二电极230之间。*二eml260包含蓝色掺杂剂262。蓝色掺杂剂262具有与eml240中的延迟荧光掺杂剂242和磷光掺杂剂244相比更短的发射波长范围。例如，蓝色掺杂剂262可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是*二eml260还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂262的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。

    在照明装置中，需要具有宽的半高全宽(fwhm)以提供高的色彩连续性的发光。为了提供w-oled，需要红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料。然而，未开发出具有宽的fwhm的红色延迟荧光材料。因此，需要开发具有高的色彩连续性和高的发光效率的发光材料层。技术实现要素：因此，本公开内容涉及**发光二极管(oled)和包括其的**发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。本发明的另外的特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述而显而易见，或者可以通过本发明的实践而获知。本发明的目的和其他优点将通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。为了实现这些和其他优点并且根据本公开内容的目的，如本文所体现和广描述的，**发光二极管包括：电极；面向电极的*二电极；以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在电极与*二电极之间的发光材料层，其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。在另一方面，**发光显示装置包括：基板；**发光二极管。强茂二极管一级代理商。

    由*二发光部分450提供红色波长范围的光和绿色波长范围的光。因此，包括*二发光部分450、包含蓝色掺杂剂422的发光部分430和包含*二蓝色掺杂剂462的*三发光部分470的oledd3发射白色光。此外，由于发光部分430和*三发光部分470分别包括分别包含蓝色掺杂剂422和*二蓝色掺杂剂462的eml420和*三eml460，因此oledd3的色温得到改善。图8是根据本公开内容的*四实施方案的oled的示意性截面图。如图8所示，oledd4包括电极510、*二电极512、在电极510与*二电极512之间的**发光层514。**发光层514包括：发光部分530，发光部分530包括eml520；*二发光部分550，*二发光部分550包括*二eml540；和*三发光部分570，*三发光部分570包括*三eml560；在发光部分530与*二发光部分550之间的cgl580；以及在*二发光部分550与*三发光部分570之间的*二cgl590。电极510为用于注入空穴的阳极并且包含高的功函数的导电材料例如ito或izo。*二电极512为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl580和*二cgl590分别被定位在发光部分530与*二发光部分550之间和*二发光部分550与*三发光部分570之间。即。捷捷微二极管找巨新科。北京激光二极管进口

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    oledd1包括电极120、面向电极120的*二电极130、和在电极120与*二电极130之间的**发光层140。**发光层140包括包含具有发射波长范围的延迟荧光掺杂剂152和具有*二发射波长范围的磷光掺杂剂154的eml150。电极120包含具有相对高的功函数的导电材料并用作阳极。例如，电极120可以包含透明导电材料例如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)，但不限于此。当oledd1为**部发射型时，可以在电极120下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(apc)合金形成。*二电极130包含具有相对低的功函数的导电材料并用作阴极。例如，*二电极130可以包含镁(mg)或铝-镁合金(al-mg)，但是不限于此。**发光层140包括定位在电极120上方并包含延迟荧光掺杂剂152和磷光掺杂剂154的eml150。延迟荧光掺杂剂具有发射波长范围，磷光掺杂剂具有与发射波长范围不同的*二发射波长范围。磷光掺杂剂的*二比较大发射波长可以大于延迟荧光掺杂剂的比较大发射波长。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，*二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂152可以由式1表示。[式1]在式1中。北京稳压二极管厂家

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