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    其中a和b分别由式3-1和式3-2表示：[式3-1][式3-2]以及其中r9至r11各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。8.根据实施方案7所述的**发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂选自式4：[式4]9.根据实施方案1所述的**发光二极管，其中所述磷光掺杂剂由式5表示：[式5]其中r1至r4各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺，其中r1与r2或r2与r3或r3与r4结合以形成稠合的c6-c30芳族环，以及其中n为1至3的整数。10.根据实施方案9所述的**发光二极管，其中所述磷光掺杂剂选自式6：[式6]11.根据实施方案1所述的**发光二极管，其中所述发光材料层还包含基质。12.根据实施方案11所述的**发光二极管，其中相对于所述基质，所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比为20％至70％，以及所述磷光掺杂剂的重量百分比为％至2％。13.根据实施方案11所述的**发光二极管，其中所述基质由式7-1或式7-2表示，[式7-1][式7-2]其中在式7-1中，惠州整流二极管稳压，x为o、s或nr，以及r为c6-c30芳基，惠州整流二极管稳压，其中在式7-1和式7-2中，y为o或s，惠州整流二极管稳压，以及其中在式7-1和式7-2中。捷捷微整流二极管原装现货。惠州整流二极管稳压

    并且可以由式7-1或式7-2表示。*二发光部分550可以包括*二htl552、*二eml540和*二etl554。*二htl552被定位在cgl580与*二eml540之间，*二etl554被定位在*二eml540与*二cgl590之间。*二eml540包含蓝色掺杂剂542。蓝色掺杂剂542具有与eml520中的延迟荧光掺杂剂522和磷光掺杂剂524相比更短的发射波长范围。例如，蓝色掺杂剂542可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是*二eml540还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂542的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。*三发光部分570可以包括*三htl572、*三eml560、*三etl574和eil576。*三htl572被定位在*二cgl590与*三eml560之间，*三etl574被定位在*三eml560与*二电极512之间。此外，eil576被定位在*三etl574与*二电极512之间。*三eml560包含*二延迟荧光掺杂剂562和*二磷光掺杂剂564。*二延迟荧光掺杂剂562具有发射波长范围，*二磷光掺杂剂564具有与发射波长范围不同的*二发射波长范围。*二比较大发射波长比比较大发射波长更长(更大)。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，*二发射波长范围可以为红色波长范围。上海激光二极管代理商强茂二极管原厂渠道。

    基质的重量百分比为约50％至80％。相对于基质，延迟荧光掺杂剂152的重量百分比可以为约20％至70％，磷光掺杂剂154的重量百分比可以为约％至2％。基质可以由式7-1或式7-2表示。[式7-1][式7-2]在式7-1中，x为o、s或nr，以及r为c6-c30芳基。在式7-1和式7-2中，y为o或s。在式7-1和式7-2中，r1至r15各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。例如，基质可以选自式8。[式8]**发光层140还包括在电极120与eml150之间的空穴传输层(htl)164、在电极120与htl164之间的空穴注入层(hil)162、在eml150与*二电极130之间的电子传输层(etl)174和在etl174与*二电极130之间的电子注入层(eil)176。hil162、htl164、etl174和eil176中的至少一者可以省略。此外，**发光层140还可以包括在htl164与eml150之间的电子阻挡层(ebl)166和在eml150与etl174之间的空穴阻挡层(hbl)172。ebl166和hbl172中的至少一者可以省略。oledd1包含发射绿色光的延迟荧光掺杂剂152和具有比延迟荧光掺杂剂152更小的重量百分比并发射红色光的磷光掺杂剂154，使得发射绿色波长范围的光和红色波长范围的光二者。即，在oledd1中。

    所述像素外偏置电压产生模块包括一运算放大器、二运算放大器、一pmos管、二pmos管、三pmos管、四pmos管、一电阻、二电阻、一电流源和二电流源，一运算放大器的正相输入端连接基准电压，其反相输入端连接二pmos管的源较和一电流源，其输出端连接一pmos管的栅较；一pmos管的源较连接电源电压，其漏较连接二pmos管的栅较并通过一电阻后连接负电源电压；二运算放大器的正相输入端接地，其反相输入端连接四pmos管的源较和二电流源，其输出端连接三pmos管的栅较；三pmos管的源较连接电源电压，其漏较连接四pmos管的栅较并通过二电阻后连接负电源电压；二pmos管和四pmos管的漏较连接负电源电压；所述像素内偏压调节模块包括一电流镜单元、二电流镜单元、三电阻和五pmos管，所述一电流镜单元用于将流过一pmos管的电流按比例镜像，所述二电流镜单元用于镜像流过三pmos管的电流；五pmos管的栅较连接所述一电流镜单元的输出端和所述二电流镜单元的输出端并通过三电阻后连接负电源电压，其漏较连接负电源电压，其源较输出浮动地电压作为所述雪崩光电二极管的偏置电压。具体的，所述一电流镜单元包括一开关、二开关、三开关、六pmos管、七pmos管和八pmos管。原装捷捷微二极管采购。

    可以将流过一pmos管mp1的电流按1-7倍的比例进行复制，如当只有一开关s1闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:1的比例进行复制，当一开关s1和二开关s2同时闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:3的比例进行复制，当一开关s1、二开关s2和三开关s3都闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:7的比例进行复制。按照相同的原理可以设置多种开关组合实现想要的比例。二电流镜单元用于镜像流过三pmos管mp3的电流，如图1所示给出二电流镜单元的一种实现形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的栅较连接三pmos管mp3的栅较，其源较连接电源电压，其漏较连接二电流镜单元的输出端。像素内偏压调节模块中三电阻r3和五pmos管mp5分别与像素外偏置电压产生模块中的一电阻r1和二pmos管mp2、二电阻r2和四pmos管mp4钳位对称，再利用一电流镜单元和二电流镜单元镜像的电流，可以控制五pmos管mp5的源较处产生的浮动地电压大小。本实施例中一pmos管mp1栅较引出一电流镜单元偏置电压为一电流镜单元的六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8供电，比例电流镜结构按不同比例镜像一pmos管mp1的电流使得像素内的五pmos管mp5的源较电压达到步进电压的整数倍大小。华南强茂二极管代理商公司。北京强茂二极管质量好的

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    r1至r15各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。14.根据实施方案13所述的**发光二极管，其中所述基质选自式8：[式8]15.根据实施方案1所述的**发光二极管，还包括：包含蓝色掺杂剂并布置在所述发光材料层与所述*二电极之间的*二发光材料层；和在所述发光材料层与所述*二发光材料层之间的电荷生成层。16.根据实施方案15所述的**发光二极管，还包括：包含*二蓝色掺杂剂并布置在所述电极与所述发光材料层之间的*三发光材料层；和在所述发光材料层与所述*三发光材料层之间的*二电荷生成层。17.根据实施方案15所述的**发光二极管，还包括：包含*二延迟荧光掺杂剂和*二磷光掺杂剂并布置在所述*二发光材料层与所述*二电极之间的*三发光材料层；以及在所述*二发光材料层与所述*三发光材料层之间的*二电荷生成层。18.根据实施方案17所述的**发光二极管，其中所述*二延迟荧光掺杂剂为绿色掺杂剂，以及所述*二磷光掺杂剂为红色掺杂剂。19.根据实施方案18所述的**发光二极管，其中所述*二磷光掺杂剂相对于所述*二延迟荧光掺杂剂的重量百分比在％至％的范围内。惠州整流二极管稳压

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