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QualityFactor)和电感一样，可以定义电容的品质因数，也就是Q值，也就是电容的储存功率与损耗功率的比：Qc=(1/ωC)/ESRQ值对高频电容是比较重要的参数。自谐振频率(Self-ResonanceFrequency)由于ESL的存在，与C一起构成了一个谐振电路，其谐振频率便是电容的自谐振频率。在自谐振频率前，电容的阻抗随着频率增加而变小；在自谐振频率后，电容的阻抗随着频率增加而变小，就呈现感性；如下图所示：图出自TaiyoYuden的EMK042BJ332MC-W规格书二、电容的工艺与结构根据电容公式，电容量的大小除了与电容的尺寸有关，与电介质的介电常数(Permittivity)有关。电介质的性能影响着电容的性能，不同的介质适用于不同的制造工艺。常用介质的性能对比，可以参考AVX的一篇技术文档，深圳瓷片电容质量好的。AVXDielectricComparisonChart电容的制造工艺主要可以分为三大类：·薄膜电容(FilmCapacitor)·电解电容(ElectrolyticCapacitor)·陶瓷电容(CeramicCapacitor)1薄膜电容(FilmCapacitor)FilmCapacitor在国内通常翻译为薄膜电容，但和ThinFilm工艺是不一样的。为了区分，深圳瓷片电容质量好的，个人认为直接翻译为膜电容好点，深圳瓷片电容质量好的。薄膜电容是通过将两片带有金属电极的塑料膜卷绕成一个圆柱形，较后封装成型；由于其介质通常是塑料材料。国巨电容一级代理找巨新科。深圳瓷片电容质量好的
Page103由于ClassII和III电容的容值较高可以做到几百uF，但由于高介电常数介质，大都是铁电性介质(Ferroelectric)，温度稳定性差。此外，铁电性介质，在直流偏置电压下介电常数会下降。在谈谈电感一文中，介绍了铁磁性介质存在磁滞现象，当内部磁场**过一定值时，会发生磁饱和现象，导致磁导率下降；同样的，对于铁电性介质存在电滞现象，当内部电场**过一定值时，会发生电饱和现象，导致介电常数下降。当ClassII和III电容的直流偏置电压**过一定值时，电容会明显下降，如下图所示：图片来源GRM188R60J226MEA0-MurataClassIV：制作工艺和通常的陶瓷材料不一样，内部陶瓷颗粒都是外面一层很薄的氧化层，而中心是导体。这种类型的电容容量很大，但击穿电压很小。由于此类电容的性能不稳定，损耗高，现在已经基本被淘汰了。引申阅读：·ECA-EIA-198-1-F-2002·MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors·HysteresisinPiezoelectricandFerroelectricMaterials电容类型总结表原图出自维基百科还有一类**级电容，就是容量特别大，可以替代电池作为供电设备，也可以和电池配合使用。**级电容充电速度快，可以完全地充放电，而且可以充到任何想要的电压。深圳高压电容哪里买风华电容一级代理商。
但使用久了，寿命就有可能降低。电容的介质损耗电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示。损耗角越大，电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作。DF值是高还是低，就同一品牌、同一系列的电容器来说，与温度、容量、电压、频率……都有关系；当容量相同时，耐压愈高的DF值就愈低。此外温度愈高DF值愈高，频率愈高DF值也会愈高。电容的漏电流电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。它的计算公式大致是:I＝K×CV。漏电流I的单位是μA，K是常数。一般来说，电容器容量愈高，漏电流就愈大。从公式可得知额定电压愈高，电容的漏电流也愈大，因此降低工作电压亦可降低漏电流。电容的外型尺寸电容的外型尺寸与重量及接脚型态相关。singleended是径向引线式，screw是锁螺丝式，另外还有贴片铝电解电容等。至於重量，同容量同耐压，但品牌不同的两个电容做比较，重量一定不同；而外型尺寸更与外壳规划有关。一般来说。
各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。在直流电场的作用下。电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的较化建立过程有关。损耗角正切：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻。C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说，要求Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角δ要小。这个关系用下式来表达：tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大，以减少设备的失效性。频率特性随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。电容器的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如9μF/450V22μF/50V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或用数字表示。华科车规电容原装现货。
在许多电子产品中，电容器是必不可少的电子元件，它在电路中的功能是整流器的平滑滤波、退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等等。电容器的类型和结构种类比较多，小伙伴们使用时，不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下的优缺点、机械或环境的限制条件等。电容定义：电容是表征电容器容纳电荷多少的物理量。电容的符号是C。公式：在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等。各单位的换算关系如下：1法拉(F)=1000毫法(mF)＝1000000微法(μF)1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)。一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，电容是电容器的固有参数。对于平板电容器：ε是一个常数，S为电容较板的正对面积，d为电容较板的距离，k则是静电力常量。电容符号：电容是一种储能元件,储存的电场能量为：电容串联电路分析：串联后的等效电容容量倒数等于各个电容容量倒数之和;串联后的各个电容的电荷量相等；串联后的耐压等于各个电容电压之和。华科电容一级代理商。深圳国巨电容电池
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电容都有一定的直流偏置，电容量比标称值小很多，所以要注意实际容值是否满足设计要求。纹波电流作为DCDC的输入和输出电容，都会有一定的纹波电流，由于ESR的存在会导致一定的温升。加上环境温度，不能**过电容的额定温度，例如X5R电容较高额度温度是85℃。通常由于多层陶瓷电容ESR较小，能承受的纹波电流较大。自谐振频率电容由于ESL的存在，都有一个自谐振频率。大容量的电容，自谐振频率较低，只有1-2MHz。所以，为了提高电源的高频效应，大量小容值的去耦电容是必须的。此外，对于开关频率很高的DCDC芯片，要注意输入输出电容的自谐振频率。ESR设计DCDC电路，需要知道输出电容的ESR，来计算输出电压纹波。多层陶瓷电容的ESR通常较低，大约几到几十毫欧。5安规电容对于我们家用的电子设备，较终都是220V交流市电供电。电源适配器为了减少对电网的干扰，通过相关EMC测试，都会加各种滤波电容。下图为一个简易的电路示意图：对于L和N之间的电容叫X电容，L、N与PE或GND之间的电容叫Y电容。由于220V交流电具有危险性，会威胁人的人身安全，电子产品都需要满足相关安规标准，例如GB4943和UL60950的相关测试要求。因此，X电容和Y电容与这些测试直接相关，所以也叫安规电容。深圳瓷片电容质量好的
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