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    也称为塑料薄膜电容；其内部结构大致如下图所示：原图来自于维基百科薄膜电容根据其电极的制作工艺，可以分为两类：金属箔薄膜电容(Film/Foil)金属箔薄膜电容，直接在塑料膜上加一层薄金属箔，通常是铝箔，作为电极；这种工艺较为简单，电极方便引出，可以应用于大电流场合。金属化薄膜电容(MetallizedFilm)金属化薄膜电容，深圳陶瓷电容电池，通过真空沉积(VacuumDeposited)工艺直接在塑料膜的表面形成一个很薄的金属表面，作为电极；由于电极厚度很薄，可以绕制成更大容量的电容；但由于电极厚度薄，只适用于小电流场合。金属化薄膜电容就是具有自我修复的功能，即假如电容内部有击穿损坏点，会在损坏处产生雪崩效应，气化金属在损坏处将形成一个气化集中面，短路消失，损坏点被修复；因此，金属化薄膜电容可靠性非常高，不存在短路失效；薄膜电容有两种卷绕方法：有感绕法在卷绕前，引线就已经和内部电极连在一起；无感绕法在绕制后，会采用镀金等工艺，将两个端面的内部电极连成一个面，这样可以获得较小的ESL，深圳陶瓷电容电池，应该高频性能较高；此外，深圳陶瓷电容电池，还有一种叠层型的无感电容，结构与MLCC类似，性能较好，便于做成SMD封装。较早的薄膜电容的介质材料是用纸浸注在油或石蜡中。国巨电容代理商巨新科。深圳陶瓷电容电池

    字母表示法：1m=1000μF4P7=1n=1000PF数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，*三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。如:102表示标称容量为1000pF。331表示标称容量为330pF。474表示标称容量为47x10(4)pF。在这种表示法中有一个特殊情况，就是当*三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上来表示容量大小。如:229表示标称容量为允许误差±1%±2%±5%±10%±15%±20%电容器的特性与用途通交隔直：作用是阻止直流通过而让交流通过。如图中的电容C1和C2，分析三极管工作状态时，直流等效电路将电容视为开路，微变等效电路将电容视为短路，从而简化了电路的分析运算。交流旁路(去耦)：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。比如下面的电路，可以将高频信号旁路。交流耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路直流电源滤波：比如二极管桥式整流后面，用于平滑电流。温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数，时间常数t=RC。调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐。深圳安规电容厂家华南国巨电容代理商公司。

    在许多电子产品中，电容器是必不可少的电子元件，它在电路中的功能是整流器的平滑滤波、退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等等。电容器的类型和结构种类比较多，小伙伴们使用时，不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下的优缺点、机械或环境的限制条件等。电容定义：电容是表征电容器容纳电荷多少的物理量。电容的符号是C。公式：在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等。各单位的换算关系如下：1法拉(F)=1000毫法(mF)＝1000000微法(μF)1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)。一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，电容是电容器的固有参数。对于平板电容器：ε是一个常数，S为电容较板的正对面积，d为电容较板的距离，k则是静电力常量。电容符号：电容是一种储能元件,储存的电场能量为：电容串联电路分析：串联后的等效电容容量倒数等于各个电容容量倒数之和;串联后的各个电容的电荷量相等；串联后的耐压等于各个电容电压之和。电容并联电路分析并联后的等效电容容量等于各个电容容量之和。

    随着开关频率和温度的升高，ESR会下降。额定纹波电流电容的纹波电流，要满足DCDC设计的输入和输出电容的RMS电流的需求。铝电解电容的额定纹波电流需要根据开关频率来修正。寿命铝电解电容的寿命比较短，选型需要注意。而寿命是和工作温度直接相关的，规格书通常给出产品较高温度时的寿命，例如105℃时，寿命为2000小时。根据经验规律，工作温度每下降10℃，寿命乘以2。如果产品的设计使用寿命为3年，也就是26280小时。则10*log2(26280/2000)=℃，那么设计工作温度不能**过65℃。聚合物铝电解电容像Intel的CPU这样的大功耗器件，一颗芯片80多瓦的功耗，核电流几十到上百安，同时主频很高，高频成分多。这时对去耦电容的要求就很高：·电容值要大，满足大电流要求；·额定RMS电流要大，满足大电流要求；·ESR要小，满足高频去耦要求；·容值稳定性要好；·表面帖装，高度不能太高，因为通常放置在CPU背面的BOTTOM层，以达到较好的去耦效果。选择聚合物铝电解电容较为合适。对于音频电路，通常需要用到耦合、去耦电容，由于音频的频率很低，所以需要用大电容，此时聚合物铝电解电容也很合适。3钽电容根据前文相关资料的来源，可以发现。原装风华电容采购就找巨新科。

    关键字：薄膜电容，电解电容，陶瓷电容，铝电解电容，钽电容，安规电容之前的文章中，介绍了电感的一些知识。本文将谈谈电容，介绍电容的知识和如何选型。电容的基本原理和电感、电阻一起，是电子学三大基本无源器件；电容的功能就是以电场能的形式储存电能量。以平行板电容器为例，简单介绍下电容的基本原理如上图所示，在两块距离较近、相互平行的金属平板上(平板之间为电介质)加载一个直流电压；稳定后，与电压正极相连的金属平板将呈现一定量的正电荷，而与电压负极相连的金属平板将呈现相等量的负电荷；这样，两个金属平板之间就会形成一个静电场，所以电容是以电场能的形式储存电能量，储存的电荷量为Q。电容储存的电荷量Q与电压U和自身属性(也就是电容值C)有关，也就是Q=U*C。根据理论推导，平行板电容器的电容公式如下：理想电容内部是介质(Dielectric)，没有自由电荷，不可能产生电荷移动也就是电流，那么理想电容是如何通交流的呢？通交流电压可以在电容内部形成一个电场，而交流电压就会产生交变电场。根据麦克斯韦方程组中的全电流定律：即电流或变化的电场都可以产生磁场，麦克斯韦将ε(∂E/∂t)定义为位移电流，是一个等效电流，表示着电场的变化。。华科电容原装现货找巨新科。深圳陶瓷电容

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    有电感、电容等所有系列的产品及相关参数曲线，非常全，不得不再次推荐一下：·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI电容ClassI电容应用较多的是C0G电容，性能稳定，适用于谐振、匹配、滤波等高频电路。C0G电容的容值十分稳定，基本不随外界条件(频率除外)变化，下图是Murata一款1000pF电容的直流、交流及温度特性。图片来自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要关注C0G电容的频率特性。下图是Murata的3款相同封装(0402inch)相同容差(5%)的10pF电容的频率特性对比。图片来自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列，GJM是高Q值系列、GQM是高频系列，可见GQM系列高频性能更好，自谐振频率和Q值更高，一些高频性能要求很高的场合，可以选用容差1%的产品。而GRM系列比较便宜，更加通用，例如EMC滤波。ClassII和ClassIII电容ClassII和ClassIII电容都是高介电常数介质，性能不稳定，容值变化范围大，通常用作电源去耦或者信号旁路。以Murata一款22uF、、X5R电容为例，相关特性曲线：图片来自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII电容，容值随温度、DC偏置以及AC偏置变化范围较大。特别是用作电源去耦时。深圳陶瓷电容电池

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