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    额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf甚至几f。但不能和双电层电容相比）。价格低廉。比其它种类电容，在价格上具有压倒性优势，因为其组成材料都是普通的工业材料。制造电解电容的设备也都是普通的工业设备，可以大规模生产，成本相对比较低，深圳瓷片电容触摸屏。新型的电解电容发展的非常快，某些产品的性能已达到无机电容器的水准，电解电容正在替换某些无机和**介质电容器。电解电容的使用范围相当，基本上，有电源的设备都会使用到电解电容。电解电容的分类，传统的方法都是按阳极材质，比如说铝或者钽，深圳瓷片电容触摸屏。所以，电解电容按阳极分，为以下几种：铝电解电容（CL）电容量：0。47--10000μ额定电压：主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大。应用：电源滤波，低频耦合，深圳瓷片电容触摸屏，去耦，旁路等不管是SMT贴片工艺的（“贴片电容”，识别方式是底坐有黑色橡胶），还是直插式的，或者有塑料表皮的，只要它们的阳极材质是铝，那么他们就都叫做铝电解电容。电容的封装方式和电容的品质本身并无直接联系，电容的性能只取决于具体型号钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）电容量：0。1--1000μ额定电压：6。3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容。风华安规电容原装现货。深圳瓷片电容触摸屏

    Page103由于ClassII和III电容的容值较高可以做到几百uF，但由于高介电常数介质，大都是铁电性介质(Ferroelectric)，温度稳定性差。此外，铁电性介质，在直流偏置电压下介电常数会下降。在谈谈电感一文中，介绍了铁磁性介质存在磁滞现象，当内部磁场**过一定值时，会发生磁饱和现象，导致磁导率下降；同样的，对于铁电性介质存在电滞现象，当内部电场**过一定值时，会发生电饱和现象，导致介电常数下降。当ClassII和III电容的直流偏置电压**过一定值时，电容会明显下降，如下图所示：图片来源GRM188R60J226MEA0-MurataClassIV：制作工艺和通常的陶瓷材料不一样，内部陶瓷颗粒都是外面一层很薄的氧化层，而中心是导体。这种类型的电容容量很大，但击穿电压很小。由于此类电容的性能不稳定，损耗高，现在已经基本被淘汰了。引申阅读：·ECA-EIA-198-1-F-2002·MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors·HysteresisinPiezoelectricandFerroelectricMaterials电容类型总结表原图出自维基百科还有一类**级电容，就是容量特别大，可以替代电池作为供电设备，也可以和电池配合使用。**级电容充电速度快，可以完全地充放电，而且可以充到任何想要的电压。深圳国巨电容公司华科电容一级代理找巨新科。

    还可以做延时电路，较常见的就是上电延时复位；一些定时芯片如NE556，可以产生三角波。·谐振源：与电感一起组成LC谐振电路，产生固定频率的信号。利用电容通高频、阻低频、隔直流的特性，电容还可以用作：电源去耦电源去耦应该是电容较大范围的应用，各种CPU、SOC、ASIC的周围、背面放置了大量的电容，目的就是保持供电电压的稳定。在DCDC电路中，需要选择合适的输入电容和输出电容来降低电压纹波。需要计算出相关参数。像IC工作时，不同时刻需要的工作电流是不一样的，因此，也需要大量的去耦电容，来保证工作电压得稳定。耦合隔直设计电路时，有些情况下，只希望传递交流信号，不希望传递直流信号，这时候可以使用串联电容来耦合信号。例如多级放大器，为了防止直流偏置相互影响，静态工作点计算复杂，通常级间使用电容耦合，这样每一级静态工作点可以单独分析。例如PCIE、SATA这样的高速串行信号，通常也使用电容进行交流耦合。旁路滤波顾名思义就是将不需要的交流信号导入大地。滤波其实也是一个意思。在微波射频电路中，各种滤波器的设计都需要使用电容。此外，像EMC设计，对于接口处的LED灯，都会在信号线上加一颗滤波电容，这样可以提高ESD测试时的可靠性。

    +20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。额定电压在比较低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的比较高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压**过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的长久损坏。电容器应用在高压场合时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的**过直流电压额定值。绝缘电阻直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越小越好。电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。损耗角正切(tgδ)：电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。华南华科电容代理商公司。

    电容大的影响就是温度，因为温度越高电解液的挥发损耗越快。需要注意的是这里的温度不是指环境或表面温度，是指铝箔工作温度。厂商通常会将电容寿命和测试温度标注在电容本体。在特定的频率下，阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关，且与ESR也有关系。电容的容抗在低频率范围内随着频率的增加逐步减小，频率继续增加达到中频范围时电抗降至ESR的值。当频率达到高频范围时感抗变为主导，所以阻抗是随着频率的增加而增加。开关电源中的输出滤波电解电容器，其锯齿波电压频率高达数十kHz，甚至是数十MHz，这时电容量并不是其主要指标，衡量高频铝电解电容优劣的标准是“阻抗-频率”特性，要求在开关电源的工作频率内要有较低的等效阻抗，同时对于半导体器件工作时产生的高频尖峰信号具有良好的滤波作用。因电容的工作温度每增高10℃寿命减半，所以不要以为2000小时寿命的铝电解电容就比1000小时的好，要注意确认寿命的测试温度。每个厂商都有温度和寿命的计算公式，在设计电容时要参照实际数据进行计算。需要了解的是要提高铝电解电容的寿命，要降低工作温度，在PCB上远离热源，*二考虑使用较高工作温度高的电容。华强北华科正规代理商。深圳瓷片电容触摸屏

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    随着开关频率和温度的升高，ESR会下降。额定纹波电流电容的纹波电流，要满足DCDC设计的输入和输出电容的RMS电流的需求。铝电解电容的额定纹波电流需要根据开关频率来修正。寿命铝电解电容的寿命比较短，选型需要注意。而寿命是和工作温度直接相关的，规格书通常给出产品较高温度时的寿命，例如105℃时，寿命为2000小时。根据经验规律，工作温度每下降10℃，寿命乘以2。如果产品的设计使用寿命为3年，也就是26280小时。则10*log2(26280/2000)=℃，那么设计工作温度不能**过65℃。聚合物铝电解电容像Intel的CPU这样的大功耗器件，一颗芯片80多瓦的功耗，核电流几十到上百安，同时主频很高，高频成分多。这时对去耦电容的要求就很高：·电容值要大，满足大电流要求；·额定RMS电流要大，满足大电流要求；·ESR要小，满足高频去耦要求；·容值稳定性要好；·表面帖装，高度不能太高，因为通常放置在CPU背面的BOTTOM层，以达到较好的去耦效果。选择聚合物铝电解电容较为合适。对于音频电路，通常需要用到耦合、去耦电容，由于音频的频率很低，所以需要用大电容，此时聚合物铝电解电容也很合适。3钽电容根据前文相关资料的来源，可以发现。深圳瓷片电容触摸屏

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